







隨著AI算力爆發(fā)式增長(zhǎng),服務(wù)器單節(jié)點(diǎn)功耗突破5kW,芯片熱流密度達(dá)150W/cm2以上。傳統(tǒng)風(fēng)冷技術(shù)已無法滿足高密度散熱需求,液冷系統(tǒng)的熱性能直接決定了芯片結(jié)溫控制能力與系統(tǒng)散熱極限,是保障算力穩(wěn)定輸出的核心指標(biāo)。

試驗(yàn)背景
隨著AI算力爆發(fā)式增長(zhǎng),服務(wù)器單節(jié)點(diǎn)功耗突破5kW,芯片熱流密度達(dá)150W/cm2以上。傳統(tǒng)風(fēng)冷技術(shù)已無法滿足高密度散熱需求,液冷系統(tǒng)的熱性能直接決定了芯片結(jié)溫控制能力與系統(tǒng)散熱極限,是保障算力穩(wěn)定輸出的核心指標(biāo)。
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試驗(yàn)簡(jiǎn)介
熱性能試驗(yàn)旨在全面評(píng)估液冷系統(tǒng)在高功率密度運(yùn)行環(huán)境下的散熱能力。通過模擬真實(shí)工況下的芯片發(fā)熱負(fù)載,測(cè)量芯片結(jié)溫、溫度均勻性、系統(tǒng)熱阻及散熱能力冗余,驗(yàn)證系統(tǒng)能否將芯片溫度穩(wěn)定控制在設(shè)計(jì)閾值內(nèi)。
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測(cè)試目的
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驗(yàn)證系統(tǒng)在額定及峰值功耗下的散熱能力
評(píng)估芯片結(jié)溫與溫度分布均勻性
測(cè)定系統(tǒng)熱阻及散熱冗余裕量
為系統(tǒng)熱設(shè)計(jì)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐
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試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)
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T/CESA 1249.1-2023 服務(wù)器及存儲(chǔ)設(shè)備用液冷裝置技術(shù)規(guī)范 第1部分:冷板
YD/T 3980-2021 數(shù)據(jù)中心冷板式液冷服務(wù)器系統(tǒng)技術(shù)要求和測(cè)試方法
OCP液冷系統(tǒng)熱性能測(cè)試指南
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應(yīng)用產(chǎn)品/涉及領(lǐng)域
適用于AI服務(wù)器、高性能計(jì)算集群、數(shù)據(jù)中心液冷系統(tǒng)、GPU/CPU算力平臺(tái)等需要高功率密度散熱的場(chǎng)景。
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試驗(yàn)內(nèi)容
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芯片結(jié)溫測(cè)試:在額定功耗下測(cè)量芯片表面溫度
溫度均勻性測(cè)試:多點(diǎn)溫度傳感器檢測(cè)各芯片溫差
系統(tǒng)熱阻測(cè)試:計(jì)算熱源與冷卻液之間的傳熱熱阻
散熱能力冗余測(cè)試:逐步增加負(fù)載至系統(tǒng)極限,記錄臨界點(diǎn)
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項(xiàng)目?jī)?yōu)勢(shì)
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采用高精度熱源模擬器與多點(diǎn)測(cè)溫系統(tǒng),數(shù)據(jù)真實(shí)可靠
可模擬動(dòng)態(tài)負(fù)載變化,覆蓋啟停、峰值、穩(wěn)態(tài)多工況
測(cè)試結(jié)果可直接用于PUE評(píng)估與系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì)
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實(shí)驗(yàn)室配置
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高精度熱源模擬器(最大功率5kW,精度±1%)
多點(diǎn)溫度采集系統(tǒng)(熱電偶陣列,精度±0.1℃)
紅外熱像儀(FLIR A系列)
恒溫冷卻液循環(huán)裝置
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常見問題
Q:熱性能測(cè)試與流阻測(cè)試有什么區(qū)別?
A:熱性能測(cè)試關(guān)注溫度與熱阻,流阻測(cè)試關(guān)注壓力損失與流量特性,兩者共同決定系統(tǒng)散熱效率與能耗表現(xiàn)。
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